DDR4 | Chipsmall

DDR4Results: 53

Производитель

Hynix

SAMSUNG

Оставшиеся результаты: 119

Продукт	3. Инвентарные запасы	Цена за единицу
K4A4G165WE-BITD SAMSUNG 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	5528 (доступный)	По всем вопросам
K4A8G165WB-BITD SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	5735 (доступный)	По всем вопросам
K4A8G085WC-BCWE SAMSUNG 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	20000 (доступный)	1+5.39172 10+4.85255 30+3.77420 Более подробная цена
K4A8G165WB-BCPB SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production	5158 (доступный)	По всем вопросам
K4A4G085WE-BIRC SAMSUNG 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA	5411 (доступный)	По всем вопросам
K4AAG165WB-MCRC SAMSUNG 16 Gb 1G x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production	26668 (доступный)	1+87.00000 10+65.25000 30+56.55000 Более подробная цена
K4A8G165WB-BIRC SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	20416 (доступный)	1+14.76800 10+13.29120 30+10.33760 Более подробная цена
K4A8G165WC-BITD SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	3575 (доступный)	1+12.92890 10+11.63601 30+9.05023 Более подробная цена
K4A8G085WB-BITD SAMSUNG 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production	4095 (доступный)	По всем вопросам
K4AAG085WA-BCTD SAMSUNG 16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	4494 (доступный)	1+15.15800 10+13.64220 30+10.61060 Более подробная цена